AMD及NVIDIA新一代显卡开始使用GDDR6显存,更高端的产品才有可能使用HBM显存,其带宽远高于GDDR技术。目前的HBM内存/显存主要是三星、SK海力士在生产,美光此前表态不会错过这个市场,5月份季度已经开始出样了。
根据美光的信息,他们在上个季度(截至5月28日的财季)中已经出样了首款HBM内存/显存芯片,它与业界最先进的产品相比都有足够的竞争力,将会扩展美光在AI数据中心市场的机会。
从美光的表态来看,他们的HBM内存/显存芯片已经搞定了,并且出样给客户,也不可能是第一代HBM了,至少也是HBM2或者最新的HBM2e。
今年2月份,固态存储协会(JEDEC)发布第三版HBM2存储标准JESD235C,也就是HBM2e,将针脚带宽提高到3.2Gbps,前两版中依次是2Gbps、2.4Gbps,环比提升33%。
按照设计规范,单Die最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制),也就是24GB容量,匹配1024bit位宽,单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说,总带宽高达1.64TB/s,容量高达96GB。
第三代HBM2的电压和上一版一致,为1.2V,比第一代的1.35V有所下降。
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