铠侠开发新型闪存 已率先实现高写入斜率及宽写入/擦除窗口

时间:2019-12-25 10:13:12       来源:IT之家

近日,铠侠株式会社(Kioxia Corporation)宣布开发出创新的储存单元结构“Twin BiCS FLASH”。该结构将传统3D闪存中圆形存储单元的栅电极分割为半圆形来缩小单元尺寸以实现高集成化。

据介绍,新的单元的设计中采用浮栅电荷存储层(Floating Gate)代替电荷陷阱型电荷存储层(Charge Trap),尺寸也比传统的圆形单元更小。铠侠已率先在此单元设计中实现了高写入斜率和宽写入/擦除窗口。同时,铠侠也证明这种新的单元结构可应用于进一步提高容量的超多值存储单元中。铠侠于12月11日(当地时间)在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上发表了上述成果。

铠侠表示,诸如BiCS FLASH之类的3D闪存通过增加单元的堆栈层数以实现大容量。但是,随着单元的堆栈层数超过100层,高纵宽比的加工越来越困难。为了解决这一问题,铠侠在新的单元结构中将常规圆形单元的栅电极分割为半圆形以减小单元尺寸,并且可以通过较少的单元堆叠层数实现更高的位密度。

据悉,东芝存储个人零售产品将从2020年4月以铠侠新形象问世,东芝存储企业级产品现已从2019年10月更名为铠侠正式运营。