中国攻克最先进128层QLC闪存:它到底强在哪?

时间:2020-04-13 15:30:33       来源:快科技

在2019年之前,中国在NAND闪存市场上的份额为0,没产能也没什么技术,长江存储在去年9月份攻克了64层3D闪存,不过那时候比三星、东芝等公司还要落后两代水平。

今天早上,长江存储宣布了一个重磅消息——128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储之前就表态跳过96层堆栈,64层之后直接进入128层堆栈,现在不仅实现了之前的目标,同时128层的QLC闪存X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量三个第一。

与之前的32层32Gb、64层256Gb的闪存相比,长江存储的X2-6070闪存提升很大,但与国际水平相比如何呢?

根据Techinsihts的3D闪存路线图及厂商的资料,三星的110+层(有128、136不同水平的)3D闪存核心容量可以做到QLC 1Tb,美光的128层、SK海力士的128层、Intel的144层QLC闪存也是1Tb核心容量,东芝/西数的112层BiCS 5技术的闪存堆栈可以做到QLC 1.33Tb容量,是此前已知最高的。

从容量上来说,长江存储的X2-6070 QLC闪存与东芝/西数同级,比其他家的要高出33%。

除了容量之外,还要看性能,IO速度上X2-6070是1600Mbps,这是他们的Xtacking架构的优势,速度堪比DDR内存,而三星的128层闪存速度是1200Mbps,西数、东芝的也是1200Mbps,其他家的IO速度没有确切数据,估计也在1200Mbps左右。

所以在IO性能上,长江存储的X2-6070闪存也是第一,这点比其他厂商是要领先的。

还有就单位面积存储密度,只不过其他厂商目前还没公布具体的核心面积数据,长江存储也一样,没有公开资料对比,但从单颗容量来看长江存储还是有底气的。

总之,从技术指标上来说,长江存储的X2-6070闪存是国产闪存首次进入第一梯队,而且同时在容量、密度及性能上领先,意义重大。

不过话说回来,长江存储的X2-6070闪存目前没有量产,只是完成了技术研发,而三星、东芝、美光等公司今年会量产128层级别的3D闪存,在生产进度及产能上依然是领先的,这才是最关键的。

对长江存储来说,目前的头等大事依然是产能建设,今年初长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示他们研发的64层闪存已经在去年量产,将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片并按期建成30万片/月产能。

长江存储今年底的产能将达到6万片晶圆/月,相比去年有8-10倍的增加,但与全球闪存芯片每月产能约为130万片晶圆相比,今年内国产闪存的产能占比不过3%而已,改变不了大局。

据业界分析师的表态,长江存储真正能够参与全球闪存市场竞争,并且对市场生产一定影响要到2021年,也就是至少一年半之后,国产闪存才有跟三星东芝等6大闪存原厂较劲的资格。

关键词: QLC闪存